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半导体研究所 [22]
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Infrared response of the lateral pin structure of a highly titanium-doped silicon-on-insulator material
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 4
作者:
Ma Zhi-Hua
;
Cao Quan
;
Zuo Yu-Hua
;
Zheng Jun
;
Xue Chun-Lai
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/05/12
Infrared response
Ion implantation
Rapid thermal annealing
Intermediate band solar cell
Electrical transport properties of the si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Ying, J.
;
Zhang, X. W.
;
Yin, Z. G.
;
Tan, H. R.
;
Zhang, S. G.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Tan HR
;
Fan YM
;
Zhang SG
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浏览/下载:42/3
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提交时间:2011/07/05
HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION
EMISSION
DIAMOND
GROWTH
Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
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浏览/下载:70/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 31-33
作者:
Ke Jianhong
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
Spin states in semiconductor quantum dot with a single magnetic ion
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 10, 页码: 3097-3106
作者:
Li, X. J.
;
Yang, W.
;
Chang, Kai
;
Xia, J. B.
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum dot
Sp-d exchange interaction
Magneto-optical property
Spin states and persistent currents in a quantum ring with an embedded magnetic impurity
期刊论文
Journal of physics-condensed matter, 2008, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 10
作者:
Sheng, J. S.
;
Chang, Kai
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403
Wang, H
;
Jiang, DS
;
Wang, LL
;
Sun, X
;
Liu, WB
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Wang, YT
;
Zhang, SM
;
Yang, H
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浏览/下载:53/1
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
DISLOCATION SCATTERING
LAYER THICKNESS
INDIUM NITRIDE
BAND-GAP
VACANCIES
Spin states and persistent currents in a quantum ring with an embedded magnetic impurity
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2008, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: art. no. 025222
Sheng JS
;
Chang K
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浏览/下载:38/3
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提交时间:2010/03/08
D EXCHANGE INTERACTION
Spin states in semiconductor quantum dot with a single magnetic ion
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 10, 页码: 3097-3106
Li XJ
;
Yang W
;
Chang K
;
Xia JB
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/03/08
quantum dot
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