QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Polarity dependence of hexagonal inclusions and cubic twins in gan/gaas(001) epilayers measured by conventional x-ray pole figure and grazing incident diffraction pole figure 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 1, 页码: 57-61 作者:  Qu, B;  Zheng, XH;  Wang, YT;  Lin, SM;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization  Defects  X-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting iii-v materials   Polarity dependence of hexagonal inclusions and cubic twins in GaN/GaAs(001) epilayers measured by conventional X-ray pole figure and grazing incident diffraction pole figure 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 1, 页码: 57-61 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：89/13  |  提交时间：2010/08/12 characterization  defects  X-ray diffraction  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GAN  GROWTH  EPITAXY