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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Measurement of threading dislocation densities in gan by wet chemical etching 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 1229-1235 作者:  Chen, J.;  Wang, J. F.;  Wang, H.;  Zhu, J. J.;  Zhang, S. M. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Measurement of threading dislocation densities in GaN by wet chemical etching 期刊论文 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 1229-1235 作者:  Yang H;  Zhu JJ;  Yang H;  Wang H;  Wang H 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/11 X-RAY-DIFFRACTION   Etching Behavior of GaN/GaAs(001) Epilayers Grown by MOVPE 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 707-712 Shen Xiaoming; Feng Zhihong; Feng Gan; Fu Yi; Zhang Baoshun; Sun Yuanping; Zhang Zehong; Yang Hui 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23 Effect of low-temperature sige interlayer on the growth of relaxed sige 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 308-311 作者:  Li, DZ;  Huang, CJ;  Cheng, BW;  Wang, HJ;  Yu, Z 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Sige  Uhv/cvd  Rheed  Raman scattering   Effect of low-temperature SiGe interlayer on the growth of relaxed SiGe 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 308-311 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 SiGe  UHV/CVD  RHEED  Raman scattering  SILICON  RELAXATION   Dislocations and precipitates in semi-insulating gallium arsenide revealed by ultrasonic Abrahams-Buiocchi etching 期刊论文 journal of crystal growth, 1996, 卷号: 167, 期号: 0, 页码: 766-768 Chen NF; He HJ; Wang YT; Pan K; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 GAAS