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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characteristics of high al content algan grown by pulsed atomic layer epitaxy 期刊论文 Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai 收藏  |  浏览/下载：173/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Raman scattering  Pulsed atomic layer epitaxy  Algan alloys   Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  cubic GaN  Mg doping  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  III-V NITRIDE  P-TYPE GAN  OPTICAL-PROPERTIES  COMPENSATION  DIODES  FILMS   Influence of rapid thermal annealing on the optical properties of gallium nitride grown by gas-source molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 8, 页码: 936-938 Li XB; Sun DZ; Zhang JP; Kong MY; Yoon SF 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  LAYERS  GAAS  HYDROGEN  FILMS