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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Zhang GZ; Hu WX; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：71/4  |  提交时间：2011/07/05 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LOW-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires 期刊论文 acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：63/1  |  提交时间：2010/04/22 Twinning  Nanotructures  Fracture  Buckling  Molecular dynamics  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AB-INITIO CALCULATIONS  BETA-SIC NANOWIRES  LOW-TEMPERATURE  THIN-FILMS  SIMULATION  ELASTICITY  NANOTUBES  POLYTYPES  GROWTH   Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study 期刊论文 nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：164/21  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SILICON-CARBIDE NANOTUBES  FORMATION ENERGIES  CARBON NANOTUBES  BORON-NITRIDE  NANOWIRES  COMPOSITES  DEFECTS  FUSION