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半导体研究所 [16]
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专题:半导体研究所
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Structure and formation mechanism of sn-doped zno nanoneedles
期刊论文
Acta physico-chimica sinica, 2010, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 2840-2844
作者:
Wang Jie
;
Zhuang Hui-Zhao
;
Xue Cheng-Shan
;
Li Jun-Lin
;
Xu Peng
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Nanostructure
Zno
Sn-doping
Sputtering
Optical property
Formation mechanism
Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073512
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Kong DH (Kong D. H.)
;
Wang W (Wang W.)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INAS QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
SURFACES
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
MIGRATION
ARRAYS
Anomalous coarsening of self-assembled inas quantum dots on vicinal gaas (100) substrates
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Liang, S.
;
Zhu, H. L.
;
Ye, X. L.
;
Pan, J. Q.
;
Zhao, L. J.
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310
作者:
Ye XL
;
Pan JQ
;
Liang S
收藏
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浏览/下载:127/30
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MULTIATOMIC STEPS
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
EPITAXY
Epitaxial semiconductor quantum wires
期刊论文
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2008, 卷号: 8, 期号: 7, 页码: 3300-3314
作者:
Wu, J.
;
Chen, Y. H.
;
Wang, Z. G.
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Epitaxy
Semiconductors
Quantum wires
The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106
Ma, ZF
;
Zhao, DG
;
Wang, YT
;
Jiang, DS
;
Zhang, SM
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Sun, BJ
;
Yang, H
;
Liang, JW
收藏
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2010/03/08
INTERSUBBAND ABSORPTION
MU-M
ALGAN
GAN
INTERLAYERS
MOVPE
ALN
Morphological defects and uniformity issues of 4h-sic homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)si faces
期刊论文
Materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278
作者:
Sun, G. S.
;
Liu, X. F.
;
Gong, Q. C.
;
Wang, L.
;
Zhao, W. S.
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
4h-sic
Homoepitaxial layers
Surface morphological defect
Optical microscopy
Temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 10, 页码: art.no.103503
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Wang W (Wang W.)
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
OPTICAL-PROPERTIES
PHASE-EPITAXY
MU-M
GAAS
SURFACE
GROWTH
MISORIENTATION
FABRICATION
UNIFORMITY
Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119
作者:
Liang S
;
Pan JQ
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
self-assembled quantum dots
indium arsenide
bimodal size distribution
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MU-M
ISLANDS
DENSITY
EPITAXY
LASER
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278
Sun GS (Sun G. S.)
;
Liu XF (Liu X. F.)
;
Gong QC (Gong Q. C.)
;
Wang L (Wang L.)
;
Zhao WS (Zhao W. S.)
;
Li JY (Li J. Y.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Li JM (Li J. M.)
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/04/11
4H-SiC
homoepitaxial layers
surface morphological defect
optical microscopy
SILICON-CARBIDE
DISLOCATIONS
FILMS
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