×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [24]
内容类型
期刊论文 [21]
会议论文 [3]
发表日期
2011 [2]
2010 [3]
2009 [3]
2008 [3]
2007 [4]
2006 [3]
更多...
学科主题
光电子学 [7]
半导体材料 [6]
半导体物理 [3]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共24条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Thermal carrier processes in bimodal-sized quantum dots with different lateral coupling strength
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: 3
作者:
Zhou, X. L.
;
Chen, Y. H.
;
Li, T. F.
;
Ye, X. L.
;
Xu, Bo
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Optical identification of electronic state levels of an asymmetric inas/ingaas/gaas dot-in-well structure
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 期号: 1
作者:
Zhou,Xiaolong
;
Chen,Yonghai
;
Xu,Bo
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:
Zhang SM
收藏
  |  
浏览/下载:58/1
  |  
提交时间:2011/07/05
BAND-GAP
INDIUM NITRIDE
TRANSPORT
EMISSION
Temperature-dependent modulation characteristics for 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 1, 页码: art. no. 013102
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Gu
;
YX (Gu Yong-Xian)
;
Liu Y (Liu Yu)
;
Ma WQ (Ma Wen-Quan)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏
  |  
浏览/下载:205/54
  |  
提交时间:2010/04/13
energy states
optical modulation
quantum dot lasers
THRESHOLD CURRENT
WELL
GAIN
Temperature-dependent modulation characteristics for 1.3 mu m inas/gaas quantum dot lasers
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 1, 页码: 5
作者:
Xu, Peng-Fei
;
Yang, Tao
;
Ji, Hai-Ming
;
Cao, Yu-Lian
;
Gu, Yong-Xian
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Energy states
Optical modulation
Quantum dot lasers
Investigation of gain recovery for inas/gaas quantum dot semiconductor optical amplifiers by rate equation simulation
期刊论文
Optical and quantum electronics, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 613-626
作者:
Xiao, Jin-Long
;
Yang, Yue-De
;
Huang, Yong-Zhen
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Quantum dots (qds)
Semiconductor optical amplifiers (soas)
Gain recovery
Investigation of gain recovery for InAs/GaAs quantum dot semiconductor optical amplifiers by rate equation simulation
期刊论文
optical and quantum electronics, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 613-626
Xiao JL (Xiao Jin-Long)
;
Yang YD (Yang Yue-De)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
收藏
  |  
浏览/下载:89/2
  |  
提交时间:2010/08/17
Quantum dots (QDs)
Semiconductor optical amplifiers (SOAs)
Gain recovery
CARRIER DISTRIBUTION
DYNAMICS
SATURATION
RELAXATION
LASERS
MODEL
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
5th international conference on semiconductor quantum dots, gyeongju, south korea, may 11-16, 2008
作者:
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Voltage tunable two-color inas/gaas quantum dot infrared photodetector
期刊论文
Applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: 3
作者:
Ma, W. Q.
;
Yang, X. J.
;
Chong, M.
;
Yang, T.
;
Chen, L. H.
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Xu B
;
Jin P
收藏
  |  
浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2010/03/09
INAS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace