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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electronic properties investigation of silicon supersaturated with tellurium 期刊论文 Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 105, 期号: 4, 页码: 1021-1024 作者:  Li, Xinyi;  Han, Peide;  Gao, Lipeng;  Mao, Xue;  Hu, Shaoxu 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Studies of 6h-sic devices 期刊论文 Current applied physics, 2002, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 393-399 作者:  Wang, SR;  Liu, ZL 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Sic  Schottky  Pn junction diodes  Mos capacitor   Studies of 6H-SiC devices 会议论文 korea-china joint symposium on smiconductor physics and device applications, seoul, south korea, dec 05-09, 2001 Wang SR; Liu ZL 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 SiC  Schottky  pn junction diodes  MOS capacitor  JUNCTION DIODES   Studies of 6H-SiC devices 期刊论文 current applied physics, 2002, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 393-399 Wang SR; Liu ZL 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 SiC  Schottky  pn junction diodes  MOS capacitor  JUNCTION DIODES   Ti Schottky barrier diodes on n-type 6H-SiC 会议论文 6th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, shanghai, peoples r china, oct 22-25, 2001 作者:  Yu F 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/10/29 SEMICONDUCTOR