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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Thermal stress analysis for gainasp multiple quantum well wafer chemically bonded to si (100) 期刊论文 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 2, 页码: 8 作者:  Zhao, Hong-Quan;  Yu, Li-Juan;  Huang, Yong-Zhen 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Finite element analysis of stress and strain distributions in inas/gaas quantum dots 期刊论文 Chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1315-1319 作者:  Zhou, WM;  Wang, CY;  Chen, YH;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Strain and stress distribution  Strain energy  Finite element method   Finite element analysis of stress and strain distributions in InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1315-1319 Zhou WM; Wang CY; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum dots  strain and stress distribution  strain energy  finite element method  ISLANDS  GROWTH  GAAS  GAAS(001)  EVOLUTION   Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100) 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 2, 页码: art.no.023513 Zhao HQ (Zhao Hong-Quan); Yu LJ (Yu Li-Juan); Huang YZ (Huang Yong-Zhen) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/11 ACTIVATED BONDING METHOD  ROOM-TEMPERATURE  EPITAXIAL OVERGROWTHS  SURFACE  CRYSTAL  GAAS  TECHNOLOGY  ENERGY  FILMS