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半导体研究所 [31]
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期刊论文 [29]
会议论文 [2]
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2009 [3]
2008 [2]
2006 [18]
2005 [2]
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专题:半导体研究所
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Different growth mechanisms of bimodal in as/gaas qds
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 308-311
作者:
Zhou, G. Y.
;
Chen, Y. H.
;
Zhou, X. L.
;
Xu, B.
;
Ye, X. L.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:58/1
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提交时间:2011/07/05
BAND-GAP
INDIUM NITRIDE
TRANSPORT
EMISSION
Design of novel polarization beam splitter in two-dimensional photonic crystal
期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 8, 页码: 5547-5552
Guo H (Guo Hao)
;
Wu P (Wu Ping)
;
Yu TB (Yu Tian-Bao)
;
Liao QH (Liao Qing-Hua)
;
Liu NH (Liu Nian-Hua)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
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浏览/下载:60/1
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提交时间:2010/09/07
polarization beam splitter
band structure
plane wave expansion
finite difference time domain
Different growth mechanisms of bimodal In As/GaAs QDs
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 308-311
作者:
Ye XL
;
Zhou XL
收藏
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浏览/下载:42/3
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提交时间:2011/07/05
INAS QUANTUM DOTS
GAAS(001)
RELAXATION
TRANSITION
GAAS
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:
Wei HY
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浏览/下载:236/104
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier density
carrier mobility
dislocation density
dislocation scattering
gallium compounds
III-V semiconductors
semiconductor heterojunctions
wide band gap semiconductors
Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410
作者:
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
;
Zhu JJ
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
QUANTUM DOTS
BAND-GAP
GROWTH
SURFACES
The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:89/41
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ELECTRON-TRANSPORT
BAND-GAP
FILMS
SAPPHIRE
Wavelength tunable distributed Bragg reflector laser integrated with electro-absorption modulator by a combined method of selective area growth and quantum well intermixing - art. no. 68240N
会议论文
conference on semiconductor lasers and applications iii, beijing, peoples r china, nov 12-13, 2007
作者:
Pan JQ
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/09
tunable lasers
Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403
Wang, H
;
Jiang, DS
;
Wang, LL
;
Sun, X
;
Liu, WB
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Wang, YT
;
Zhang, SM
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:53/1
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
DISLOCATION SCATTERING
LAYER THICKNESS
INDIUM NITRIDE
BAND-GAP
VACANCIES
Narrow stripe selective growth of oxide-free ingaalas/ingaalas mqws by ultra-low pressure movpe
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 841-845
作者:
Feng, W.
;
Pan, J. Q.
;
Zhou, F.
;
Yang, H.
;
Zhao, L. J.
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
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