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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  III-V semiconductors  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE-QUANTUM-WELL  LUMINESCENCE  GAAS  LOCALIZATION  BEHAVIOR  LAYER   Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 501-505 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：147/24  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting IIIV materials  LUMINESCENCE  GAASN   Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting IIIV materials  LUMINESCENCE  GAASN   Influence of dual incorporation of in and n on the luminescence of gainnas/gaas single quantum wells 期刊论文 Applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 25, 页码: 4148-4150 作者:  Sun, BQ;  Jiang, DS;  Pan, Z;  Li, LH;  Wu, RH 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence of dual incorporation of In and N on the luminescence of GaInNAs/GaAs single quantum wells 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 25, 页码: 4148-4150 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN