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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2003 [1]
2001 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [1]
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High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
symposium on gan and related alloys held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02-06, 2002
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ION-SCATTERING SPECTROSCOPY
LATTICE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
FILMS
POLARIZATION
GAN(0001)
SURFACES
GROWTH
DIODES
Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450
Liao MY
;
Chai CL
;
Yao ZY
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:84/8
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提交时间:2010/08/12
diffusion
growth models
ion bombardment
reflection high energy electron diffraction
physical vapor phase deposition
semiconducting silicon compounds
CUBIC GAN
GROWTH
DEPOSITION
EPITAXY
SILICON
DIAMOND
Carbon film deposited by mass-selected low energy ion beam technique and ion bombardment effect
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2186-2190
Liao MY
;
Zhang JH
;
Qin FG
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Lee ST
收藏
  |  
浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2010/08/12
amorphous carbon
ion bombardment
mass-selected low energy ion beam
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
BIAS-ENHANCED NUCLEATION
DIAMOND FILMS
RAMAN-SCATTERING
GROWTH
SILICON
MECHANISM
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