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半导体研究所 [20]
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期刊论文 [20]
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Effect of substrate misorientation on the inas/inalas/inp nanostructure morphology and lateral composition modulation in the inalas matrix
期刊论文
Applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 3
作者:
Lei, W.
;
Wang, Y. L.
;
Chen, Y. H.
;
Jin, P.
;
Ye, X. L.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Effect of substrate misorientation on the InAs/InAlAs/InP nanostructure morphology and lateral composition modulation in the InAlAs matrix
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: art.no.103118
作者:
Xu B
;
Ye XL
;
Jin P
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浏览/下载:75/0
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提交时间:2010/03/29
INAS QUANTUM DOTS
Temperature-dependent bimodal size evolution of inas quantum dots on vicinal gaas(100) substrates
期刊论文
Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 10, 页码: 5
作者:
Liang, S.
;
Zhu, H. L.
;
Wang, W.
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Effect of gaas(100) 2 degrees surface misorientation on the formation and optical properties of mocvd grown inas quantum dots
期刊论文
Applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8126-8130
作者:
Liang, S.
;
Zhu, H. L.
;
Ye, X. L.
;
Wang, W.
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Quantum dots
Indium arsenide
High-power algainp laser diodes with current-injection-free region near the laser facet
期刊论文
Optical engineering, 2006, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 3
作者:
Xu, Y
;
Li, YZ
;
Gan, QQ
;
Cao, Q
;
Song, GF
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Laser diodes
Algainp
Ridge waveguide
Current-injection-free region
Effect of GaAS(100) 2 degrees surface misorientation on the formation and optical properties of MOCVD grown InAs quantum dots
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8126-8130
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Wang W (Wang W.)
收藏
  |  
浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2010/04/11
photoluminescence
quantum dots
indium arsenide
1.3 MU-M
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE-EPITAXY
GAAS
LUMINESCENCE
SUBSTRATE
ISLANDS
DENSITY
LASERS
LAYER
Temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 10, 页码: art.no.103503
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Wang W (Wang W.)
收藏
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
OPTICAL-PROPERTIES
PHASE-EPITAXY
MU-M
GAAS
SURFACE
GROWTH
MISORIENTATION
FABRICATION
UNIFORMITY
High-power AlGaInP laser diodes with current-injection-free region near the laser facet
期刊论文
optical engineering, 2006, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: art.no.034205
Xu Y
;
Li YZ
;
Gan QQ
;
Cao Q
;
Song GF
;
Guo L
;
Chen LH
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/04/11
laser diodes
AlGaInP
ridge waveguide
current-injection-free region
OPERATION
Two-dimensional ordering of self-assembled inxgal-xas quantum dots grown on gaas(311)b surfaces
期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 4, 页码: 279-286
作者:
Xu, HZ
;
Jiang, WH
;
Xu, B
;
Zhou, W
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Two-dimensional (2d) ordering
Quantum dot array
Inxga1-xas
Self-assembly
Molecular beam epitaxy
Gaas(311)b
High index
Two-dimensional ordering of self-assembled inxga1-xas quantum dots grown on gaas(311)b surfaces
期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 481-488
作者:
Xu, HZ
;
Jiang, WH
;
Xu, B
;
Zhou, W
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Two-dimensional (2d) ordering
Quantum dot array
Inxga1-xas
Self-assembly
Molecular beam epitaxy
Gaas(311)b
High-index
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