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科研机构
半导体研究所 [13]
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期刊论文 [13]
发表日期
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2006 [3]
2005 [2]
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专题:半导体研究所
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Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy (vol 94, 052101, 2009)
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 12, 页码: art. no. 129901
作者:
Wei HY
;
Song HP
;
Jiao CM
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浏览/下载:379/108
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
core levels
III-V semiconductors
magnesium compounds
semiconductor heterojunctions
semiconductor-insulator boundaries
X-ray photoelectron spectra
Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:310/47
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
II-VI semiconductors
indium compounds
interface states
polarisation
semiconductor heterojunctions
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
zinc compounds
Optical study of lateral carrier transfer in (In,Ga)As/GaAs quantum-dot chains
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 011107
Wang, BR
;
Sun, BQ
;
Ji, Y
;
Dou, XM
;
Xu, ZY
;
Wang, ZM
;
Salamo, GJ
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浏览/下载:104/2
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZED STATES
ISLANDS
WIRES
SUPERLATTICES
ORGANIZATION
GAAS(100)
EXCITONS
GROWTH
DECAY
GAAS
Valence band offset of InN/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 24, 页码: art. no. 242107
Zhang BL
;
Sun GS
;
Guo Y
;
Zhang PF
;
Zhang RQ
;
Fan HB
;
Liu XL
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:231/42
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
indium compounds
interface states
semiconductor heterojunctions
silicon compounds
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
Carrier channels of multimodal-sized quantum dots: a surface-mediated adatom migration picture
期刊论文
Physical review b, 2007, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Ding, Fei
;
Chen, Y. H.
;
Tang, C. G.
;
Xu, Bo
;
Wang, Z. G.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/05/12
Non-exponential photoluminescence decay dynamics of localized carriers in disordered ingan/gan quantum wells: the role of localization length
期刊论文
Optics express, 2006, 卷号: 14, 期号: 26, 页码: 13151-13157
作者:
Wang, Y. J.
;
Xu, S. J.
;
Zhao, D. G.
;
Zhu, J. J.
;
Yang, H.
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Interdot interaction induced zero-bias maximum of the differential conductance in parallel double quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.043705
Chi F
;
Li SS
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浏览/下载:94/0
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提交时间:2010/04/11
AHARONOV-BOHM INTERFEROMETER
SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR
COULOMB-BLOCKADE
ANDERSON MODEL
MAGNETIC-FLUX
KONDO REGIME
TRANSPORT
EQUILIBRIUM
DEVICES
Non-exponential photoluminescence decay dynamics of localized carriers in disordered InGaN/GaN quantum wells: the role of localization length
期刊论文
optics express, 2006, 卷号: 14, 期号: 26, 页码: 13151-13157
Wang, YJ (Wang, Y. J.)
;
Xu, SJ (Xu, S. J.)
;
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Shan, XD (Shan, X. D.)
;
Yu, DP (Yu, D. P.)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/29
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
Origin and evolution of photoluminescence from si nanocrystals embedded in a sio2 matrix
期刊论文
Physical review b, 2005, 卷号: 72, 期号: 19, 页码: 6
作者:
Wang, XX
;
Zhang, JG
;
Ding, L
;
Cheng, BW
;
Ge, WK
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Origin and evolution of photoluminescence from Si nanocrystals embedded in a SiO2 matrix
期刊论文
physical review b, 2005, 卷号: 72, 期号: 19, 页码: art.no.195313
Wang XX
;
Zhang JG
;
Ding L
;
Cheng BW
;
Ge WK
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:152/43
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提交时间:2010/03/17
SILICON NANOCRYSTALS
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