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半导体研究所 [932]
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Effects of deposition time on growth of Ir buffer layer on MgO(1 0 0) support layer by magnetron sputtering
期刊论文
RESULTS IN PHYSICS, 2021, 卷号: 30, 页码: 104878
作者:
Huo, Xiaodi
;
Zhou, Guangdi
;
Feng, Mengyang
;
Jin, Peng
;
Wu, Ju
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2022/03/24
Increasing the indium incorporation efficiency during InGaN layer growth by suppressing the dissociation of NH3
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 102, 期号: 2017, 页码: 35-39
作者:
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2018/11/30
Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p++-GaN layer
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2017, 卷号: 467, 页码: 1-5
作者:
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2018/07/11
Low temperature one-step growth of AlON thin films with homogenous nitrogen doping profile by plasma enhanced atomic layer deposition
期刊论文
ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 卷号: 9, 期号: 44, 页码: 38662-38669
作者:
Hong-Yan Chen
;
Hong-Liang Lu
;
Jin-Xin Chen
;
Feng Zhang
;
Xin-Ming Ji
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/06/15
Growth of High-Quality GaAs on Ge by Controlling the Thickness and Growth Temperature of Buffer Layer
期刊论文
chinese physics letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 128101
Zhou Xu-Liang
;
Pan Jiao-Qing
;
Yu Hong-Yan
;
Li Shi-Yan
;
Wang Bao-Jun
;
Bian Jing
;
Wang Wei
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/03/19
Growth of Ge1-xSnx/Ge strained-layer superlattices on Si(100) by molecular beam epitaxy
期刊论文
superlattices and microstructures, 2013, 卷号: 64, 页码: 543
Su, SJ
;
Zhang, DL
;
Zhang, GZ
;
Xue, CL
;
Cheng, BW
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2014/04/04
Metalorganic chemical vapor deposition growth of inas/gasb type ii superlattices with controllable asxsb1-xinterfaces
期刊论文
Nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 期号: 1
作者:
Li,Li-Gong
;
Liu,Shu-Man
;
Luo,Shuai
;
Yang,Tao
;
Wang,Li-Jun
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Structures and optical characteristics of ingan quantum dots grown by mbe
期刊论文
Rare metal materials and engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 2030-2032
作者:
Wang Baozhu
;
Yan Cuiying
;
Wang Xiaoliang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Ingan
Quantum dot
Mbe
Electronic band structures and electron spins of inas/gaas quantum dots induced by wetting-layer fluctuation
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Ning, J. Q.
;
Xu, S. J.
;
Ruan, X. Z.
;
Ji, Yang
;
Zheng, H. Z.
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Inp-based deep-ridge npn transistor laser
期刊论文
Optics letters, 2011, 卷号: 36, 期号: 16, 页码: 3206-3208
作者:
Liang, S.
;
Kong, D. H.
;
Zhu, H. L.
;
Zhao, L. J.
;
Pan, J. Q.
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
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