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	Optical properties of uo2 and puo2 期刊论文 Journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 400, 期号: 2, 页码: 151-156 作者: Shi, Hongliang; Chu, Mingfu; Zhang, Ping 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2019/05/12
	Optical properties of UO2 and PuO2 期刊论文 journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 400, 期号: 2, 页码: 151-156 Shi HL (Shi Hongliang); Chu MF (Chu Mingfu); Zhang P (Zhang Ping) 收藏 \| 浏览/下载：75/0 \| 提交时间：2010/06/18 ELECTRONIC-STRUCTURE URANIUM-DIOXIDE POINT-DEFECTS PHOTOEMISSION ENERGY APPROXIMATION ENERGETICS PLUTONIUM CRYSTAL SPECTRA
	Thermodynamics and kinetics analysis of in-situ synthesizing AlN 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 249-254 Zheng XH; Wang Q; Zhou ML; Li CG 收藏 \| 浏览/下载：36/0 \| 提交时间：2010/08/12 Al-Mg alloy in-situ synthesis AlN Mg thermo-dynamical dynamics THERMAL-CONDUCTIVITY ALUMINUM NITRIDE HETEROSTRUCTURE
	X-ray diffraction analysis on gallium-indium interdiffusion in quantum dot superlattices 期刊论文 Chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 810-812 作者: Wang, H; Xu, SJ; Li, Q; Feng, SL 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2019/05/12
	X-ray diffraction analysis on gallium-indium interdiffusion in quantum dot superlattices 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 810-812 Wang H; Xu SJ; Li Q; Feng SL 收藏 \| 浏览/下载：90/11 \| 提交时间：2010/08/12 LUMINESCENCE
	Growth and characterization of strained superlattices delta-ganxas1-x/gaas by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 648-652 作者: Pan, Z; Li, LH; Lin, YW; Zhou, ZQ; Zhang, W 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2019/05/12 Ganas/gaas superlattice X-ray diffraction Periodicity fluctuation Mbe Rheed
	Growth and characterization of strained superlattices delta-GaNxAs1-x/GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 648-652 Pan Z; Li LH; Lin YW; Zhou ZQ; Zhang W; Wang YT; Wu RH 收藏 \| 浏览/下载：60/0 \| 提交时间：2010/08/12 GaNAs/GaAs superlattice X-ray diffraction periodicity fluctuation MBE RHEED BAND-GAP ENERGY NITROGEN ALLOYS DIFFRACTION COEFFICIENT SOLUBILITY OPERATION GAAS1-XNX GAASN
	Enhanced hydrogen desorption from Si sites during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6920-6922 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏 \| 浏览/下载：40/0 \| 提交时间：2010/08/12 GAS-SOURCE MBE KINETICS ADSORPTION SILICON SI(100) MECHANISM SI2H6 PHASE FILMS
	Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 Liu JP; Kong MY; Li JP; Liu XF; Huang DD; Sun DZ 收藏 \| 浏览/下载：33/0 \| 提交时间：2010/08/12 Si1-xGex alloys low temperature epitaxy desorption adsorption surface morphology growth kinetics HYDROGEN DESORPTION SI(100) SI SURFACTANT GERMANIUM MECHANISM KINETICS ALLOYS SI2H6 GAS-SOURCE MBE

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