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半导体研究所 [41]
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Flattening of low temperature epitaxial ge1-xsnx/ge/si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
作者:
Wang, Wei
;
Su, Shaojian
;
Zheng, Jun
;
Zhang, Guangze
;
Xue, Chunlai
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浏览/下载:122/0
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提交时间:2019/05/12
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:100/6
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提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
Wang W
;
Su SJ
;
Zheng J
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:98/7
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提交时间:2011/07/05
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
SURFACE
GROWTH
EVOLUTION
DECAY
Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study
期刊论文
nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708
作者:
Li JB
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浏览/下载:165/21
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON-CARBIDE NANOTUBES
FORMATION ENERGIES
CARBON NANOTUBES
BORON-NITRIDE
NANOWIRES
COMPOSITES
DEFECTS
FUSION
Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410
作者:
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
;
Zhu JJ
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
QUANTUM DOTS
BAND-GAP
GROWTH
SURFACES
The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:89/41
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ELECTRON-TRANSPORT
BAND-GAP
FILMS
SAPPHIRE
Ordered InAs quantum dots with controllable periods grown on stripe-patterned GaAs substrates
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 2689-2691
Ren, YY (Ren Yun-Yun)
;
Xu, B (Xu Bo)
;
Wang, ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Liu-Ming (Liu-Ming)
;
Long, SB (Long Shi-Bing)
收藏
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2010/03/29
GE ISLANDS
Optical analysis of dislocation-related physical processes in GaN-based epilayers
期刊论文
physica status solidi b-basic solid state physics, 2007, 卷号: 244, 期号: 8, 页码: 2878-2891
Jiang, DS (Jiang, De-Sheng)
;
Zhao, DG (Zhao, De-Gang)
;
Yang, H (Yang, Hui)
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
growth interruption
in segregation
surface oxide
molecular beam epitaxy
quantum dots
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
LAYER
SHAPE
SIZE
Study on Raman spectra of GaMnAs
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2006, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 207-212
Ma BS
;
Wang WJ
;
Su FH
;
Den JJ
;
Jiang CP
;
Liu HL
;
Ding K
;
Zhao JH
;
Li GH
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/04/11
GaMnAs
Raman spectrum
coupled plamon-LO-phonon mode
hole density
GAAS
(GA
MOCVD
FILMS
GAN
MN)AS
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