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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of the 1st aln and the 2nd gan layers on properties of algan/2nd aln/2nd gan/1st aln/1st gan structure 期刊论文 Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216 作者:  Bi, Yang;  Wang, XiaoLiang;  Yang, CuiBai;  Xiao, HongLing;  Wang, CuiMei 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 The influence of the ingan back-barrier on the properties of al0.3ga0.7n/aln/gan/ingan/gan structure 期刊论文 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 5 作者:  Bi, Y.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Peng, E. C. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-consistent analysis of alsb/inas high electron mobility transistor structures 期刊论文 Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7 作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504 Li YB (Li Yanbo); Zhang Y (Zhang Yang); Zeng YP (Zeng Yiping) 收藏  |  浏览/下载：213/46  |  提交时间：2010/10/11 INAS/ALSB QUANTUM-WELLS  LOW-POWER APPLICATIONS  HEMTS  MODULATION  HETEROSTRUCTURES  TECHNOLOGY  CHANNEL  VOLTAGE  MASS   Observations on subband electron properties in in0.65ga0.35as/in0.52al0.48as mm-hemt with si delta-doped on the barriers 期刊论文 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4143-4147 作者:  Zhou Wen-Zheng;  Lin Tie;  Shang Li-Yan;  Huang Zhi-Ming;  Zhu Bo 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Sdh oscillation  Two-dimensional electron gas  Fft analysis  Self-consistently calculation   Metalorganic chemical vapor deposition of GaNAs alloys using different Ga precursors 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522 Wei X; Wang GH; Zhang GZ; Zhu XP; Ma XY; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：85/2  |  提交时间：2010/08/12 high resolution X-ray diffraction  precursor  metalorganic chemical vapor depositions  gallium compounds  LASER-DIODES  SOLAR-CELLS  BAND-GAP  GAINNAS  DIMETHYLHYDRAZINE  GROWTH  PYROLYSIS  EPITAXY   Optical and electrical characterizations of ZnSe self-organized quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 310-314 Lu LW; Wang ZG; Yang CL; Wang J; Ma ZH; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：93/10  |  提交时间：2010/08/12 II-VI semiconductor  self-organized quantum dots  optical and electrical properties  TEMPERATURE-DEPENDENCE  WELL STRUCTURES  LASER-DIODES  PHOTOLUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  EPILAYERS  SURFACE  STATES   EFFECT OF SUBSTRATE PHOTOEXCITATION ON CHANNEL CONDUCTION IN A MODULATION-DOPED ALXGA1-XAS/GAAS HETEROSTRUCTURE 期刊论文 journal of applied physics, 1988, 卷号: 64, 期号: 5, 页码: 2488-2494 JIANG PH; HUANG YJ; GE WK; SUN DZ; ZENG YP 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/15