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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Epitaxial sic grown on silicon-on-insulator substrate with ultra-thin silicon-over-layer 期刊论文 Thin solid films, 2005, 卷号: 484, 期号: 1-2, 页码: 261-264 作者:  Huang, FY;  Wang, XF;  Sun, GS;  Zhao, WS;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Silicon carbide  Chemical vapor deposition  Epitaxy   Epitaxial SiC grown on silicon-on-insulator substrate with ultra-thin silicon-over-layer 期刊论文 thin solid films, 2005, 卷号: 484, 期号: 1-2, 页码: 261-264 Huang FY; Wang XF; Sun GS; Zhao WS; Zeng YP; Bian EL 收藏  |  浏览/下载：39/13  |  提交时间：2010/03/17 silicon carbide   Effect of a low-temperature thin buffer layer on the strain accommodation of in0.25ga0.75as grown on a gaas(001) substrate 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 955-959 作者:  Zhang, ZC;  Chen, YH;  Yang, SY;  Zhang, FQ;  Ma, BS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Strain accommodation of 3c-sic grown on hydrogen-implanted si (001) substrate 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325 作者:  Zhang, ZC;  Chen, YH;  Li, DB;  Zhang, FQ;  Yang, SY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Substrate  Heteroepitaxy  Low pressure chemical vapor deposition  Semiconducting silicon carbide   Strain accommodation of 3C-SiC grown on hydrogen-implanted Si (001) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 substrate  heteroepitaxy  low pressure chemical vapor deposition  semiconducting silicon carbide  COMPLIANT SUBSTRATE  CRITICAL THICKNESS  SILICON  RELAXATION  MECHANISM  DEFECTS  LAYERS   Effect of a low-temperature thin buffer layer on the strain accommodation of In0.25Ga0.75As grown on a GaAs(001) substrate 期刊论文 semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 955-959 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/08/12 RELAXATION  SI  HETEROSTRUCTURES  KINETICS