QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 白一鸣; 陈诺夫; 戴瑞烜; 王鹏; 王晓东 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2009/06/11 分布布拉格反射器（DBR）对半导体微腔一些特性的影响 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 335 刘宝利; 王炳？; 徐仲英 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23 用于光电子器件的低成本、高反射率 SOR衬底（英文） 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 261 李成; 杨沁青; 王红杰; 王启明 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/23 垂直腔面发射激光器中顶层相位对模式特性的影响 期刊论文 光学学报, 2000, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 181 黄永箴 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23 LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管 期刊论文 半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 712 作者:  陈良惠 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23