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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 锗锡和锗铅合金材料能带调控的第一性原理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 黄文奇 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2016/06/02 四族合金半导体  能带调控  第一性原理   MOVPE生长Ga_xAl_yIn_（1-x-y）N的准热力学模型（英文） 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 677 陆大成; 段树坤 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23