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科研机构
半导体研究所 [32]
内容类型
专利 [29]
期刊论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2011 [2]
2010 [3]
2002 [1]
学科主题
半导体器件 [2]
光电子学 [1]
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专题:半导体研究所
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光刻胶光学性质的光谱椭偏测量方法研究
期刊论文
计量学报, 2011, 卷号: 32, 期号: 4, 页码: 381-384
作者:
陈熙
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2012/07/17
980nm 折射率微扰FP 腔半导体激光器的研制
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
高卓
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2011/12/28
FP 腔半导体激光器
折射率微扰
光谱线宽
波长稳定
刻槽图形
借助保护层的取样光栅的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12, 2010-10-15
王 桓
;
阚 强
;
周 帆
;
王宝君
;
朱洪亮
收藏
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/08/12
用于半导体器件中的取样光栅的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12, 2010-10-15
王 桓
;
王宝君
;
朱洪亮
收藏
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2010/08/12
采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12, 2010-10-15
作者:
杨晓红
收藏
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浏览/下载:103/0
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提交时间:2010/08/12
基于二维表面等离子体激元的微结构
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 476-478
章蓓
;
栾峰
;
徐军
;
金艳波
;
徐万劲
;
张会珍
;
钱怡
;
马骁宇
;
朱恪
;
刘玉龙
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/11/23
一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263067.6, 公开日期: 2011-08-30
作者:
杨晓红
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2011/08/30
制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910243745.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
王佐才
;
金鹏
;
王占国
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2011/08/31
脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910093176.5, 公开日期: 2011-08-30
作者:
任光辉
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2011/08/30
以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31
作者:
李艳
收藏
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浏览/下载:98/0
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提交时间:2011/08/31
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