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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：西安理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 硼掺杂量对P型a-Si∶H膜微结构和光/电学性能的影响 期刊论文 2013, 卷号: 41, 页码: 364-369 作者:  时惠英;  董丹;  蒋百灵;  鲁媛媛;  刘宁 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20 硼掺杂氢化非晶硅薄膜 硼掺杂比 真空退火 光学带隙 电阻率   PH3/SiH4气流量比对N型a-Si：H薄膜微观结构与电学性能的影响 期刊论文 2013, 卷号: 41, 页码: 1668-1673 作者:  董丹;  时惠英;  蒋百灵;  鲁媛媛;  张岩 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/20 磷掺杂氢化非晶硅薄膜  磷掺杂比  退火  载流子浓度  电阻率   a-Si1-x-yCxGey:H薄膜及a-Si:H/4H-SiC光电特性研究 学位论文 : 西安理工大学, 2012 作者:  曹鑫 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/20 氢化非晶硅基薄膜材料  光电特性  生长速率  制备工艺  电极间距   磁控溅射沉积氢化非晶硅薄膜及其结晶过程的研究 学位论文 : 西安理工大学, 2011 作者:  苗启林 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/20 磁控溅射  非晶硅薄膜  退火晶化  晶化率  晶粒尺寸   溅射沉积氢化非晶硅中辉光放电等离子体的Langmuir探针诊断 期刊论文 2011, 卷号: 31, 页码: 476-480 作者:  李洪涛;  蒋百灵;  杨波;  曹政;  郭维华 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/20 磁控溅射  Langmuir探针  等离子体  离子密度  电子密度   用结恢复电流研究a-Si:H p~+-i-n~+结构的缺陷 期刊论文 1991, 页码: 167-171+192 作者:  李福德;  张青 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/12/25 氢化非晶硅  SW效应  结恢复电流