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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Experimental and Theoretical Studies of Mo/Au Schottky Contact on Mechanically Exfoliated β-GaO Thin Film. 期刊论文 Nanoscale research letters, 2019, 卷号: Vol.14 No.1 作者:  Hu Zhuangzhuang;  Feng Qian;  Feng Zhaoqing;  Cai Yuncong;  Shen Yixian 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/13 Breakdown  voltage  Carrier  transport  mechanism  Reverse  bias  Schottky  emission  β-Ga2O3  Schottky  diode   High-Voltage -Ga2O3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: Vol.14 作者:  Gao, Yangyang;  Li, Ang;  Feng, Qian;  Hu, Zhuangzhuang;  Feng, Zhaoqing 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/17 Ga2O3 Schottky diode  Argon implantation  Edge termination   Experimental and Theoretical Studies of Mo/Au Schottky Contact on Mechanically Exfoliated -Ga2O3 Thin Film 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: Vol.14 作者:  Hu, Zhuangzhuang;  Feng, Qian;  Feng, Zhaoqing;  Cai, Yuncong;  Shen, Yixian 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/17 Ga2O3 Schottky diode  Carrier transport mechanism  Reverse bias  Schottky emission  Breakdown voltage   Experimental and Theoretical Studies of Mo/Au Schottky Contact on Mechanically Exfoliated β-GaO Thin Film 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: Vol.14 No.1 作者:  Zhuangzhuang Hu;  Qian Feng;  Zhaoqing Feng;  Yuncong Cai;  Yixian Shen 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/13 β-Ga2O3  Schottky  diode  Carrier  transport  mechanism  Reverse  bias  Schottky  emission  Breakdown  voltage   High-Voltage β-GaO Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: Vol.14 No.1 作者:  Yangyang Gao;  Ang Li;  Qian Feng;  Zhuangzhuang Hu;  Zhaoqing Feng 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/13 β-Ga2O3  Schottky  diode  Argon  implantation  Edge  termination