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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2011, 期号: 7, 页码: 074512-1-074512-6 作者:  Yuanjie Lv;  Zhaojun Lin;  Timothy D. Corrigan;  Jianzhi Zhao;  Zhifang Cao 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/23 Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward current-voltage characteristics 期刊论文 Applied physics letters, 2011, 期号: 12, 页码: 123504-1-123504-3 作者:  Yuanjie Lv;  Zhaojun Lin;  Lingguo Meng;  Yingxia Yu;  Chongbiao Luan 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23 Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 7 作者:  Lv, Yuanjie;  Lin, Zhaojun;  Corrigan, Timothy D.;  Zhao, Jianzhi;  Cao, Zhifang 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/23 Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward current-voltage characteristics 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 99, 期号: 12 作者:  Lv, Yuanjie;  Lin, Zhaojun;  Meng, Lingguo;  Yu, Yingxia;  Luan, Chongbiao 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23