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上海微系统与信息技术... [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2005 [2]
2004 [1]
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Crystallog... [1]
Engineerin... [1]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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Strain relaxation mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by Ge condensation
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 275-280
Di, ZF
;
Huang, AP
;
Chu, PK
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Song, ZT
;
Luo, SH
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
MOBILITY ENHANCEMENT
RAMAN-SCATTERING
HIGH-PERFORMANCE
COMPLIANT OXIDE
N-MOSFETS
OXIDATION
SUBSTRATE
STABILITY
ELECTRON
ISLANDS
Fabrication and mechanism of relaxed SiGe-on-insulator by modified Ge condensation
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2005, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1637-1640
Di, ZF
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Luo, SH
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Huang, AP
;
Chu, PK
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
HOLE MOBILITY ENHANCEMENT
STRAINED-SI
OXIDATION BEHAVIOR
HIGH-PERFORMANCE
COMPLIANT OXIDE
N-MOSFETS
GERMANIUM
SUBSTRATE
ELECTRON
ISLANDS
Fabrication of thick, high-quality strained SiGe layer on ultra-thin silicon-on-insulator and modeling of film strain
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2004, 卷号: 7, 期号: 4-6, 页码: 393-397
Di, ZF
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Lin, CL
;
Chu, PK
收藏
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浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2012/03/24
COMPLIANT SUBSTRATE
RAMAN-SCATTERING
INFRARED DETECTORS
ALLOYS
TRANSISTORS
MOBILITY
GROWTH
HOLE
ENHANCEMENT
TRANSPORT
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