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科研机构
上海微系统与信息技... [19]
内容类型
期刊论文 [19]
发表日期
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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Dependence of dark current and photoresponse characteristics on polarization charge density for GaN-based avalanche photodiodes
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 44, 期号: 6 Pages, 页码: 405102
Wang, XD
;
Hu, WD
;
Chen, XS
;
Xu, JT
;
Wang, L
;
Li, XY
;
Lu, W
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/05/12
Distinction investigation of InGaAs photodetectors cutoff at 2.9 mu m
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2010, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 173-176
Li, C
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Wang, K
;
Gu, Y
;
Li, HSBY
;
Li, YY
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
PHOTODIODES
WAVELENGTH
BUFFER
LAYERS
MOCVD
CAP
Wavelength extended InGaAs/InAlAs/InP photodetectors using n-on-p configuration optimized for back illumination
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 52-56
Zhang, YG(张永刚)
;
Gu, Y
;
Tian, ZB
;
Li, AZ
;
Zhu, XR
;
Wang, K
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
DARK CURRENT
INGAAS PHOTODETECTORS
INFRARED DETECTORS
PHOTODIODES
EFFICIENCY
BUFFER
MOCVD
IMPROVING THE PERFORMANCE OF EXTENDED WAVELENGTH InGaAs PHOTODETECTORS BY USING DIGITAL GRADED HETEROINTERFACES SUPERLATTICE
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2009, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 405-409
Wang, K
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Gu, Y
;
Li, C
;
Li, HSBY
;
Li, YY
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
PHOTODIODES
Performance of gas source MBE-grown wavelength-extended InGaAs photodetectors with different buffer structures
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1881-1884
Zhang, YG(张永刚)
;
Gu, Y
;
Tian, ZB
;
Wang, K
;
Li, AZ
;
Zhu, XR
;
Zheng, YL
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
DARK CURRENT
PHOTODIODES
OPTIMIZATION
DETECTORS
Effects of the intrinsic layer width on the band-to-band tunneling current in p-i-n GaN-based avalanche photodiodes
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 24, 期号: 9 Article Number, 页码: 095006
Wang, L
;
Bao, XC
;
Zhang, WJ
;
Li, C
;
Yuan, YG
;
Xu, JT
;
Zhang, Y
;
Li, XY
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/05/12
Wavelength extended 2.4 mu m heterojunction InGaAs photodiodes with InAlAs cap and linearly graded buffer layers suitable for both front and back illuminations
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 51, 期号: 4, 页码: 316-321
Zhang, YG(张永刚)
;
Gu, Y
;
Tian, ZB
;
Li, AZ
;
Zhu, XR
;
Zheng, YL
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
GAS-SOURCE MBE
DARK CURRENT
PHOTODETECTORS
DETECTORS
MOCVD
Gas source MBE-grown metamorphic InGaAs photodetectors using InAlAs buffer and cap layers with cut-off wavelength up to 2.7 mu m
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2292-2295
Tian, ZB
;
Gu, Y
;
Wang, K
;
Zhang, YG(张永刚)
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
2.6 MU-M
PHOTODIODES
CAMERA
Properties of gas source molecular beam epitaxy grown wavelength extended InGaAs photodetector structures on a linear graded InAlAs buffer
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 125029-125029
Zhang, YG(张永刚)
;
Gu, Y
;
Wang, K
;
Li, AZ
;
Li, C
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
PHOTODIODES
LAYERS
GAAS
EFFICIENCY
CUTOFF
Wavelength extended 2.4 mu m heterojunction InGaAs photodiodes with InAlAs cap and linearly graded buffer layers suitable for both front and back illuminations
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 51, 期号: 4, 页码: 316-321
Zhang, YG
;
Gu, Y
;
Tian, ZB
;
Li, AZ
;
Zhu, XR
;
Zheng, YL
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/05/10
Instruments & Instrumentation
Physics
Optics
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