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退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用 期刊论文
红外与激光工程, 2012, 期号: 2, 页码: 279-283
邓洪海; 魏鹏; 朱耀明; 李淘; 夏辉; 邵秀梅; 李雪; 缪国庆; 张永刚; 龚海梅
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一种电阻式随机存取存储器及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102254927A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23
吴良才; 倪鹤南; 宋志棠; 周夕淋; 饶峰
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/01/06
一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201404A, 申请日期: 2011-09-28, 公开日期: 2011-09-28
程新红; 夏超; 王中健; 俞跃辉; 何大伟; 徐大伟
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一种基于图形化的SOI-ESD保护器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201405A, 申请日期: 2011-09-28, 公开日期: 2011-09-28
程新红; 夏超; 王中健; 俞跃辉; 何大伟; 徐大伟
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06
SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130012A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉
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一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130013A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2012/01/06
一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102082144A, 申请日期: 2011-06-01, 公开日期: 2011-06-01
黄晓橹; 魏星; 程新红; 陈静; 张苗; 王曦
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可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916779A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏  |  浏览/下载：133/0  |  提交时间：2012/01/06
一种具有多层超结结构的LDMOS器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916780A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2012/01/06
大角度离子注入抑制SOI MOS器件浮体效应的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101794712A, 申请日期: 2010-08-04, 公开日期: 2010-08-04
肖德元; 罗杰馨; 陈静; 伍青青; 王曦
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