×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
上海微系统与信息技术... [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2007 [1]
2005 [6]
学科主题
Physics, A... [2]
Applied [1]
Atomic [1]
Crystallog... [1]
Electrical... [1]
Electroche... [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
专题:上海微系统与信息技术研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Hole tunneling from valence band and hot-carrier induced hysteresis effect in 0.13 mu m partially depleted silicon-on-insulator n-MOSFETs
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 12, 页码: 2077-2080
Zhou,JH
;
Pang,A
;
Cao,S
;
Zou,SC
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2012/04/10
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
Strain Stability and Carrier Mobility Enhancement in Strained Si on Relaxed SiGe-on-Insulator
期刊论文
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 卷号: 157, 期号: 1, 页码: H104-H108
Ma, XB
;
Liu, WL
;
Liu, XY
;
Du, XF
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Chu, PK
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2012/03/24
N-MOSFETS
SILICON
FABRICATION
TECHNOLOGY
LAYERS
RELAXATION
ELECTRON
SIMOX
SOI
Modified substrate-current model for high voltage n-channel metal-oxide-semiconductor transistor and its implication on transistor design
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 91, 期号: 23, 页码: 233504-233504
Dai, MZ
;
Yap, A
;
Huang, K
;
Huang, SY
;
Wang, J
;
Wang, S
;
Jiang, I
;
Zhang, WJ
;
Yi, L
;
Cheng, A
;
Liu, SH
;
Liao, KY
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2012/03/24
DEGRADATION
MOSFETS
LDD
以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文)
期刊论文
半导体学报, 2005, 期号: 09
刘奇斌
;
林青
;
刘卫丽
;
封松林
;
宋志棠
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2012/01/06
高温超导体
比热
Fabrication of strained silicon on insulator by strain transfer process
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: 51921-51921
Jin, B
;
Wang, X
;
Chen, J
;
Cheng, XL
;
Chen, ZJ
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2012/03/24
HOLE MOBILITY ENHANCEMENT
SI N-MOSFETS
LAYER TRANSFER
SUBSTRATE
ELECTRON
SI1-XGEX
Fabrication of SGOI material by oxidation of an epitaxial SiGe layer on an SOI wafer with H ions implantation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2005, 卷号: 234, 期号: 3, 页码: 243-248
Cheng,XL
;
Chen,ZJ
;
Wang,YJ
;
Jin,B
;
Zhang,F
;
Zou,SC
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2012/03/24
HOLE MOBILITY ENHANCEMENT
HIGH-GE FRACTION
STRAINED-SI
INSULATOR SUBSTRATE
N-MOSFETS
ELECTRON
ULTRATHIN
Strain relaxation mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by Ge condensation
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 275-280
Di, ZF
;
Huang, AP
;
Chu, PK
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Song, ZT
;
Luo, SH
;
Lin, CL
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/03/24
MOBILITY ENHANCEMENT
RAMAN-SCATTERING
HIGH-PERFORMANCE
COMPLIANT OXIDE
N-MOSFETS
OXIDATION
SUBSTRATE
STABILITY
ELECTRON
ISLANDS
Relaxed SiGe-on-insulator fabricated by dry oxidation of sandwiched Si/SiGe/Si structure
期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 124, 页码: 153-157
Di, ZF
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Zhu, M
;
Lin, CL
;
Chu, PK
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/03/24
ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
STRAINED-SI
LAYER TRANSFER
N-MOSFETS
GERMANIUM
STABILITY
SUBSTRATE
EPITAXY
ALLOYS
Fabrication and mechanism of relaxed SiGe-on-insulator by modified Ge condensation
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2005, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1637-1640
Di, ZF
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Luo, SH
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Huang, AP
;
Chu, PK
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2012/03/24
HOLE MOBILITY ENHANCEMENT
STRAINED-SI
OXIDATION BEHAVIOR
HIGH-PERFORMANCE
COMPLIANT OXIDE
N-MOSFETS
GERMANIUM
SUBSTRATE
ELECTRON
ISLANDS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace