CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共87条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
A Tunnel Diode Body Contact Structure for High-Performance SOI MOSFETs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2012, 卷号: 59, 期号: 1, 页码: 101-107
Luo, JX; Chen, J; Wu, QQ; Chai, Z; Zhou, JH; Yu, T; Dong, YJ; Li, L; Liu, W; Qiu, C; Wang, X
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/04/17
Temperature Dependence of Hysteresis Effect in Partially Depleted Silicon-on-Insulator MOSFETs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2012, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-67
Luo, JX; Chen, J; Zhou, JH; Wu, QQ; Chai, Z; Wang, X
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/04/17
一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102184879A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
柴展; 陈静; 罗杰馨; 伍青青; 王曦
收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2012/01/06
BSIMSOI4直流模型参数的确定方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101976283A, 申请日期: 2011-02-16, 公开日期: 2011
陈静; 伍青青; 罗杰馨; 柴展; 王曦
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06
高k材料Ta_2O_5结构与电学性质的研究 期刊论文
功能材料, 2011, 期号: 07
陈息林; 余涛; 吴雪梅; 董尧君; 诸葛兰剑
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/04/13
0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应 期刊论文
物理学报, 2011, 期号: 11
刘张李; 胡志远; 张正选; 邵华; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/04/13
高迁移率SiGe/sSOI量子阱MOSFET及NiSiGe源漏接触研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2011
张波
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/06
Influence of poly region extended into field oxide on total ionizing dose effect for deep submicron MOSFET 期刊论文
Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS.RADECS 2011 - 12th European Conference on Radiation and Its Effects on Component and Systems, Conference Proceedings, 2011, 期号: 0, 页码: 28-35
Liu, ZL; Hu, ZY; Zhang, ZX; Shao, H; Ning, Bingxu; Chen, M; Bi, Dawei; Zou, SC
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/08/28
宽度偏移量的确定方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101726274A, 申请日期: 2010-06-09, 公开日期: 2010-06-09
陈静; 伍青青; 罗杰馨; 肖德元; 王曦
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/01/06
总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型 期刊论文
功能材料与器件学报, 2010, 期号: 04
贺威; 张正选
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace