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SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文
博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009
陈超
收藏  |  浏览/下载:56/0  |  提交时间:2012/03/06
AIN、ta-C薄膜制备及其在SOI技术中的应用研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2003
宋朝瑞  
收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2012/03/06
AlN、ta-C薄膜制备及其在SOI技术中的应用研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2003
宋朝瑞
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2012/03/06
物理学与新型(功能)材料专题系列介绍(Ⅰ) 金刚石薄膜能成为新一代半导体材料吗? 期刊论文
物理, 1992, 期号: 01
章熙康
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As_2~+注入硅的辐射损伤和退火行为研究 期刊论文
应用科学学报, 1990, 期号: 01
林成鲁; 方子韦; 邢昆山; 倪如山; 邹世昌
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2012/03/29
高T_c超导YBa_2Cu_3O_(7-δ)体系输运特性的研究 期刊论文
低温物理学报, 1989, 期号: 02
陈建民; 毛尔望; 房国平; 谢雷鸣
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2012/03/29
用离子注入在GaAs中形成高浓度超薄有源层 期刊论文
半导体学报, 1988, 期号: 03
颜本达; 史常忻; 忻尚衡; 周文英
收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2012/03/29
离子注入GaAs Hall元件的不等位电势 期刊论文
传感器技术, 1987, 期号: 02
杨悦非; 乔墉; 刘月琴; 罗潮渭; 王渭源
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GaAs及其它半导体欧姆接触模型 期刊论文
物理学报, 1985, 期号: 03
吴鼎芬; 王德宁
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2012/03/29
高掺杂沟道GaAs M-I(10~2)-S Schottky势垒栅场效应晶体管(MIS SB FET) 期刊论文
半导体学报, 1984, 期号: 06
周勉; 王渭源
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