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| 一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916761A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
  收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构的制作工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916728A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响 会议论文
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009
王茹; 张正选; 俞文杰; 田浩; 毕大炜; 张帅; 陈明
收藏 | 浏览/下载：43/0 | 提交时间：2012/01/18
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| 应用于超薄栅氧化CMOS器件的两种电荷泵改进技术的比较(英文) 期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 期号: 03
王庆学
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2012/01/06
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| Hot Carriers Injection in Advanced Deep Sub-micron MOSFETs 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2007
Qingxue Wang
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 埋嵌在高k介质中Ce纳米晶的制备及其电荷储存特性的研究 学位论文
硕士, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2005
王石冶
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 不同气氛下制备的PLT铁电薄膜钉扎现象的研究 期刊论文
压电与声光, 1999, 期号: 01
宋志棠; 林成鲁; 任巍; 张良莹; 姚熹
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2012/03/29
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| N沟MOSFET／SIMOX的γ射线辐照特性 期刊论文
微电子学与计算机, 1995, 期号: 02
竺士炀; 林成鲁; 李金华
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2012/03/29 |
| 突变异质结双极晶体管中的复合效应与电流传输 期刊论文
固体电子学研究与进展, 1995, 期号: 03
齐鸣; 李爱珍
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2012/03/29 |
| NMOS／SIMOX的γ射线总剂量辐照特性 期刊论文
核技术, 1995, 期号: 06
竺士炀; 李金华; 林成鲁; 高剑侠; 严荣良; 任迪远
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2012/03/29 |
