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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101604657, 申请日期: 2009-12-16, 公开日期: 2009-12-16 魏星; 王湘; 李显元; 张苗; 王曦; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：96/0  |  提交时间：2012/01/06 SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 陈超 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘层上硅(SOI)  含有硅化物埋层的SOI材料  SiGe HBT  三维电路   SOI衬底上SiGe HBT材料和器件研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009 陈超 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘层上硅(SOI)  　含有硅化物埋层的SOI材料  　SiGe HBT  　三维电路　   一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1359158, 申请日期: 2002-07-17, 公开日期: 2002-07-17 安正华; 张苗; 林成鲁; 刘卫丽; 沈勤我 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/01/06