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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Uniformity and Retention Improvement of TaOx-Based Conductive Bridge Random Access Memory by CuSiN Interfacial Layer Engineering 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Gong TC(龚天成);  Luo Q(罗庆);  Xu XX(许晓欣);  Yuan P(袁鹏);  Chen CB(陈传兵) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/07/13 Methodology for stability evaluation on the multi-level storages of oxide-based conductive bridge RAM (CBRAM) 会议论文 作者:  Zhang MY(张美芸);  Lv HB(吕杭炳);  Liu M(刘明);  Liu HT(刘红涛);  Xu XX(许晓欣) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/06/14 Set statistics in conductive bridge random access memory device 期刊论文 Applied Physics Letters, 2014 作者:  Li Y(李阳);  Liu Q(刘琦);  Lv HB(吕杭炳);  Xu XX(许晓欣);  Liu M(刘明) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/04/14 Physical model of dynamic Joule heating effect for reset process in conductive-bridge random access memory 期刊论文 J Comput Electron, 2014 作者:  Lu ND(卢年端);  Wang M(王明);  Liu M(刘明);  Li L(李泠);  Sun PX(孙鹏霄) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/04/14