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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory 期刊论文 Chinese Physics B, 2018 作者:  Liu J(刘璟);  Xu XX(许晓欣);  Chen CB(陈传兵);  Gong TC(龚天成);  Yu ZA(余兆安) 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/04/12 一种一次编程存储器及其存储、制备方法 专利 专利号: US8531861, 申请日期: 2013-09-10, 公开日期: 2012-06-07 作者:  左青云;  龙世兵;  刘明;  谢常青;  霍宗亮 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/04/13 Investigation of resistive switching behaviours in WO3-based RRAM devices 期刊论文 chinese physics B, 2011 作者:  Liu S(刘肃) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/11/15 Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications 外文期刊 2010 作者:  Liu, Q;  Wang, Y;  Liu, M;  Yang, JH;  Zuo, QY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Rram   Multilevel resistive switching with ionic and metallic filaments 外文期刊 2009 作者:  Liu, M;  Abid, Z;  Wang, W;  Liu, Q;  Guan, WH 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 Memory  Resistance  Films