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LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响 期刊论文
液晶与显示, 2008, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 5，173-177
作者:  丁磊;  许剑;  韩郑生;  梅沁;  钟传杰
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/27
LDD结构参数对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响 期刊论文
液晶与显示, 2008, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 4，692-695
作者:  吕志娟;  韩郑生;  钟传杰
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/27
隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 4，559-562
作者:  许剑;  丁磊;  韩郑生;  钟传杰
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/27
全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 5,73_77
作者:  韩郑生;  李瑞贞;  李多力;  杜寰;  海潮和
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26
非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型 期刊论文
电子器件, 2007, 期号: 6
作者:  许剑;  钟传杰;  丁磊;  韩郑生
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/05/26
双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 35-40
作者:  毕津顺;  吴峻峰;  海潮和
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/26
全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 6，2303-2308
作者:  韩郑生;  李瑞贞
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/05/26
Simulation and comparison of MOS inversion layer quantum mechanics effects in SiGePMOSFET and SiPMOSFET 外文期刊
2004
作者:  Yang, R;  Luo, JS;  Tu, J;  Zhang, RZ
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26
应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 6，966-971
作者:  杨荣;  罗晋生
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/05/25
深亚微米隔离技术—浅沟槽隔离工艺 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 7,323_329
作者:  徐秋霞;  王新柱
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/05/25

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