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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Gate-All-Around Silicon Nanowire Transistors with Channel-Last Process on Bulk Si Substrate 期刊论文 IEICE Electronics Express, 2015 作者:  Ma XL(马小龙);  Yin HX(殷华湘);  Hong PZ(洪培真) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/05/31 High-Performance Si Nanowire Transistors on Fully Si Bulk Substrate From Top-Down Approach: Simulation and Fabrication 外文期刊 2010 作者:  Zhuge, J;  Tian, Y;  Wang, RS;  Huang, R;  Wang, YQ 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Thermal-conductivity  Device-simulation  Mosfets  Layers   Design and optimization considerations for bulk gate-all-around nanowire MOSFETs 外文期刊 2009 作者:  Cai, XW;  Zhou, HJ;  Xu, QX;  Song, Y 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 Device-simulation  Cmos Devices  Silicon  Performance  Transistors  Fabrication  Diameter  Impact