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| 减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201610266868.5, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-07-20
作者: 史敬元 ; 彭松昂; 金智; 张大勇
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| 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201610306272.3, 申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2016-07-20
作者: 彭松昂; 金智; 王少青; 毛达诚; 史敬元
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| 一种半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201310282319.3, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2015-01-14
作者: 刘新宇; 金智; 钟汇才; 朱慧珑; 梁擎擎
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| 基于石墨烯的超级电容电极材料的制备方法 专利
专利号: CN201610266171.8, 申请日期: 2018-06-29, 公开日期: 2016-06-22
作者: 史敬元; 张大勇; 金智; 彭松昂
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| 通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法 专利
专利号: CN201410535650.6, 申请日期: 2018-05-22, 公开日期: 2015-01-28
作者: 张大勇; 麻芃; 金智; 史敬元; 王少青
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| 一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法 专利
专利号: CN201611129480.7, 申请日期: 2018-02-22, 公开日期: 2017-02-22
作者: 刘新宇; 金智; 戴小宛; 桂羊羊; 孙恒超
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410353945.1, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2016-02-17
作者: 项金娟; 赵超
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| 一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法 专利
专利号: CN201611130606.2, 申请日期: 2018-02-02, 公开日期: 2017-02-15
作者: 戴小宛; 贾锐; 孙恒超; 金智; 刘新宇
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| 基于石墨烯的超级电容电极材料的制备方法 专利
专利号: CN201610266672.6, 申请日期: 2017-12-29, 公开日期: 2016-06-22
作者: 史敬元; 金智; 彭松昂; 张大勇
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| 无残留光学光刻胶石墨烯FET的制备及原位表征方法 专利
专利号: CN201410763616.4, 申请日期: 2017-07-28, 公开日期: 2015-03-25
作者: 史敬元; 彭松昂; 金智; 张大勇; 王选芸
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