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| 一种绝缘栅双极晶体管 专利
专利号: CN201721830403.4, 申请日期: 2018-07-17,
作者: 陆江 ; 刘海南; 蔡小五; 卜建辉; 罗家俊
  收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/03/01 |
| SiC肖特基接触高温特性研究及沟槽二极管研制 学位论文
: 中国科学院大学, 2018
作者: 董升旭
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2018/09/05 |
| GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法 专利
专利号: CN201410005400.1, 申请日期: 2017-03-22, 公开日期: 2014-04-16
作者: 郑英奎; 赵妙; 欧阳思华; 李艳奎; 刘新宇
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2018/02/07 |
| 一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201310589191.5, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者: 杨谦; 韩林超; 申华军; 白云; 汤益丹
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2017/05/27 |
| 一种SiC肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201310580966.2, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-02-12
作者: 汤益丹; 刘新宇; 许恒宇; 蒋浩杰; 赵玉印
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2017/05/27 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210134103.8, 申请日期: 2016-08-10, 公开日期: 2013-10-30
作者: 钟汇才; 李俊峰; 赵超; 邓坚; 罗军
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2017/06/30 |
| 低源漏接触电阻MOSFETs及其制造方法 专利
专利号: CN201110263766.5, 申请日期: 2016-04-20, 公开日期: 2013-03-20
作者: 赵超; 罗军
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/07/03 |
| 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27
作者: 史晶晶; 白云; 刘可安; 申华军; 汤益丹
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2016/06/20 |
| 低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法 专利
专利号: CN201110264987.4, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-03-27
作者: 罗军; 赵超
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110006429.8, 申请日期: 2015-01-14, 公开日期: 2012-07-18
作者: 罗军; 赵超
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2016/09/18 |
