QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 专利 专利号: CN201610306272.3, 申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2016-07-20 作者:  彭松昂;  金智;  王少青;  毛达诚;  史敬元 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/03/07 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201210382151.9, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-04-16 作者:  秦长亮;  殷华湘 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/03/14 一种新型碳基材料和金属接触的制作方法 专利 专利号: CN102593006A, 申请日期: 2012-07-18, 公开日期: 2012-07-18 作者:  王显泰;  麻芃;  陈娇;  金智;  郭建楠 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/05/14 一次掩膜光刻同时定义有机薄膜晶体管源漏栅电极的方法 专利 专利号: CN200710177796.8, 申请日期: 2010-01-27, 公开日期: 2009-05-27 作者:  甄丽娟;  刘明;  刘兴华;  商立伟 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 一种制备ZnO纳米线悬浮的背栅场效应管的方法 专利 专利号: CN101752257A, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2010-06-23, 2010-11-26 作者:  黎明;  付晓君;  徐静波 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/26 一种制备ZnO多沟道纳米线场效应晶体管的方法 专利 专利号: CN101752256A, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2010-06-23, 2010-11-26 作者:  付晓君;  徐静波;  黎明 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 一种制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法 专利 专利号: CN101615580, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-12-30, 2010-11-26 作者:  黎明;  张海英;  徐静波;  付晓君 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺 专利 专利号: CN1754860, 申请日期: 2004-09-29, 公开日期: 2006-04-05, 2010-11-26 作者:  柴淑敏;  徐秋霞;  王大海 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26