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| 减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201610266868.5, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-07-20
作者: 史敬元 ; 彭松昂; 金智; 张大勇
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210436643.1, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-05-21
作者: 许淼; 朱慧珑; 梁擎擎; 尹海洲
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| 一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法 专利
专利号: CN201310086213.6, 申请日期: 2018-06-15, 公开日期: 2014-06-04
作者: 褚为利; 朱阳军; 田晓丽; 赵佳
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| 应用于III-V族衬底的复合栅介质层及其制作方法 专利
专利号: CN201510418996.2, 申请日期: 2018-05-08, 公开日期: 2015-11-25
作者: 孙兵; 王盛凯; 刘洪刚; 常虎东
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210382151.9, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-04-16
作者: 秦长亮; 殷华湘
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| 隧穿场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201310315051.9, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2015-02-11
作者: 朱正勇; 朱慧珑; 许淼
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| 半导体器件 专利
专利号: CN201410812116.5, 申请日期: 2017-07-21, 公开日期: 2016-07-20
作者: 袁烽; 殷华湘; 贾云丛; 陈大鹏
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| 一种针对低功耗MCU关断模式的功耗优化方法 期刊论文
微电子学与计算机, 2017
作者: 乔树山; 朱致玖; 杨紫薇; 袁甲
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| 三端原子开关器件及其制备方法 专利
专利号: CN201410828155.4, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2015-03-25
作者: 刘明; 刘琦; 龙世兵; 吕杭炳
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210304241.6, 申请日期: 2017-01-25, 公开日期: 2014-03-12
作者: 梁擎擎; 钟汇才; 赵超
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