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| 赛贝克系数测量结构、测量结构制备方法及测量方法 专利
专利号: CN201510226906.X, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2015-09-09
作者: 卢年端 ; 李泠; 刘明; 高南; 徐光伟
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| 测量有机半导体状态密度的方法 专利
专利号: CN201510228253.9, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2015-07-15
作者: 卢年端; 李泠; 刘明
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| 一种印刷线路板盲孔制造方法及其结构 专利
专利号: CN201410140557.5, 申请日期: 2018-01-09, 公开日期: 2014-07-09
作者: 于中尧
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| 无残留光学光刻胶石墨烯FET的制备及原位表征方法 专利
专利号: CN201410763616.4, 申请日期: 2017-07-28, 公开日期: 2015-03-25
作者: 史敬元; 彭松昂; 金智; 张大勇; 王选芸
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| 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 专利
专利号: CN201210030512.3, 申请日期: 2014-12-10, 公开日期: 2012-07-04
作者: 陆丛研; 刘明; 刘欣; 陈映平; 韩买兴
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| 有机场效应晶体管阈值电压的调制方法 专利
专利号: CN200910311849.X, 申请日期: 2014-05-07, 公开日期: 2011-06-22
作者: 姬濯宇; 商立伟; 刘明
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| 一种PCB线路板铜线路加工方法 专利
申请日期: 2014-01-01,
作者: 于中尧
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| 一种扇出型封装结构及其制作工艺 专利
申请日期: 2014-01-01,
作者: 郭学平; 于中尧
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| 一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法 专利
专利号: CN103456607A, 申请日期: 2013-12-18,
作者: 史敬元; 金智; 张大勇; 麻芃; 彭松昂
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| 一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法 专利
专利号: CN103441223A, 申请日期: 2013-12-11,
作者: 麻芃; 彭松昂; 张大勇; 金智; 史敬元
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