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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法 专利 专利号: CN101540297, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-09-23, 2010-11-26 作者:  徐静波;  张海英;  黎明;  付晓君 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 制备深亚微米栅的方法 专利 专利号: CN1471135, 申请日期: 2002-07-26, 公开日期: 2004-01-28, 2010-11-26 作者:  王润海;  石华芬;  刘训春;  李无暇;  罗明雄 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/26