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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：宁波材料技术与工程研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Supersmooth Ta2O5/Ag/Polyetherimide Film as the Rear Transparent Electrode for High Performance Semitransparent Perovskite Solar Cells 期刊论文 ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2019, 卷号: 7, 期号: 4 作者:  Ying, Zhiqin;  Chen, Wei;  Lin, Yi;  He, Zhenfei;  Chen, Tian 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/12/18 METAL-OXIDE  EXTRACTION  POLYMER  LAYERS   Influence of the substrate bias voltage on the physical properties of dc reactive sputtered Ta2O5 films 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2013, 卷号: 573, 期号: 550, 页码: 258—262 曹鸿涛、Y.S. Zou; K. Cang a,b, L.Y. Liang b, Z.M. Liu b, L. Wub, H. Luo b, H.T. Cao b,⇑, Y.S. Zou a,⇑ 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/12/16 Influence of the substrate bias voltage on the physical properties of dcreactive sputtered Ta2O5 films 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2012, 期号: 550, 页码: 258—262 曹鸿涛、邹友生; K. Cang a,b, L.Y. Liang b, Z.M. Liu b, L. Wub, H. Luo b, H.T. Cao b,⇑, Y.S. Zou a,⇑ 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/12/16 Anomalous bias-stress-induced unstable　phenomena of InZnO thin-film transistors　using Ta2O5 gate dielectric 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, 2012, 期号: 45, 页码: — 曹鸿涛; Wangying Xu, Mingzhi Dai, Lingyan Liang, Zhimin Liu, Xilian Sun, QingWan and Hongtao Cao 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/12/16 Anomalous bias-stress-induced unstable phenomena of InZnO thin-film transistors using Ta2O5 gate dielectric 期刊论文 J PHYS D APPL PHYS, 2012, 期号: 45, 页码: 205103-1—205103-5 Cao HT(曹鸿涛); Wangying Xu, Mingzhi Dai, Lingyan Liang, Zhimin Liu, Xilian Sun, QingWan and Hongtao Cao 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/12/16