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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：长春光学精密机械与物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 AlGaN UV Detector with Largely Enhanced Heat Dissipation on Mo Substrate Enabled by van der Waals Epitaxy 期刊论文 2022 作者:  Y. Chen;  H. Zang;  J. Ben;  S. Zhang;  K. Jiang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2023/06/14 Suppressed optical field and electron leakage and enhanced hole injection in InGaN laser diodes with InGaN-GaN-InGaN barriers 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2021, 卷号: 130, 期号: 18 作者:  L. Cheng;  J. Zhang;  J. Wang;  J. Zhang;  J. Yang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2022/06/13 Low-Cost Battery-Powered and User-Friendly Real-Time Quantitative PCR System for the Detection of Multigene 期刊论文 Micromachines, 2020, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 9 作者:  J. R. An,Y. Y. Jiang,B. Shi,D. Wu and W. M. Wu 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/07/06 Ultraviolet electroluminescence from a n-ZnO film/p-GaN heterojunction under both forward and reverse bias 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2018, 卷号: 6, 期号: 42, 页码: 11368-11373 作者:  Shen, Dezhen;  Li, Binghui;  Chen, Xing;  Yang, Jialin;  Ma, Hongyu 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/08/21 Ultraviolet electroluminescence from a n-ZnO filmp-GaN heterojunction under both forward and reverse bias 期刊论文 Journal of Materials Chemistry C, 2018, 卷号: 6, 期号: 42, 页码: 11368-11373 作者:  Ai, Q.;  Liu, K. W.;  Ma, H. Y.;  Yang, J. L.;  Chen, X. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/09/17 light-emitting-diodes  microwire  barriers  band  Materials Science  Physics   ZnO Film UV Photodetector with Enhanced Performance: Heterojunction with CdMoO4 Microplates and the Hot Electron Injection Effect of Au Nanoparticles 期刊论文 Small, 2017, 卷号: 13, 期号: 39 作者:  Ouyang, W. X.;  F. Teng;  M. M. Jiang and X. S. Fang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/06/13