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苏州纳米技术与纳米... [21]
内容类型
期刊论文 [21]
发表日期
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses
期刊论文
VACUUM, 2016, 卷号: 129
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/03/11
Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/11
Photovoltaic Response of InGaN/GaN Multi-quantum Well Solar Cells Enhanced by Reducing p-type GaN Resistivity
期刊论文
IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 2016, 卷号: 6, 期号: 2
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/03/11
Current density dependence of transition energy in blue InGaN/GaN MQW LEDs
期刊论文
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2016
作者:
Zhang, F.(张峰)
;
Ikeda, M.
;
Zhou, K.
;
Liu, Z.S.
;
Liu, J.P.(刘建平)
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2017/03/11
Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 97
作者:
Li, X
;
Zhao, DG
;
Yang, J
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/11
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2017/03/11
Carrier Localization Effects in InGaN/GaN Multiple-Quantum-Wells LED Nanowires: Luminescence Quantum Efficiency Improvement and "Negative" Thermal Activation Energy
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 卷号: 6
作者:
Bao, W
;
Su, ZC
;
Zheng, CC
;
Ning, JQ(宁吉强)
;
Xu, SJ
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2017/03/11
Localization effect in green light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with varying well thickness
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 625, 页码: 5
作者:
Liu, W
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2015/12/31
Nitride materials
Crystal growth
Photoluminescence
Multiple quantum wells
Localization states
Green light
Temperature dependence of photoluminescence spectra for green light emission from InGaN/GaN multiple wells
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 9
作者:
Liu, W
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2015/12/31
Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 6
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2015/12/31
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