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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/02/02 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/02/02 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/02/02 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain