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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 准一维ZnS和BN纳米半导体材料的控制合成、生长机理与物性研究 学位论文 博士, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2008 陈志刚 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2012/04/10 准一维  纳米半导体材料  ZnS  BN  场发射  阴极射线发光   一种准一维氮化硼纳米结构的制备方法 成果 2008 中国科学院金属研究所 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/07/24 纳米结构  氮化硼  准一维   一种准一维氮化硼纳米结构的制备方法 专利 专利类型: 发明专利, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2007-10-31 刘畅, 汤代明 and 成会明 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/06/06