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科研机构
兰州大学 [3]
内容类型
会议论文 [2]
期刊论文 [1]
发表日期
1999 [1]
1998 [2]
学科主题
electric n... [1]
engineerin... [1]
physical c... [1]
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An analytical model for the saturation characteristics of bipolar-mode static induction transistors
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1999, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 823-827
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/05/25
BSIT
saturation
analytical model
Influence of temperature on BSIT's turn-off time
会议论文
Proceedings of the 1998 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Beijing, China, October 21, 1998 - October 23, 1998
作者:
Jiang, Yanfeng
;
Li, Siyuan
;
Li, Hairong
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/01/20
Bipolar transistors
Electric network analysis
Thermal effects
Bipolar static induction transistors (BSIT)
Influence of `Gate-biasing Effect' on BSIT's saturated property
会议论文
Proceedings of the 1998 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Beijing, China, October 21, 1998 - October 23, 1998
作者:
Jiang, Yanfeng
;
Li, Siyuan
;
Li, Hairong
;
Meng, Xionghui
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提交时间:2017/01/20
Bipolar transistors
Electric current measurement
Gates (transistor)
Saturation (materials composition)
Voltage measurement
Base width modulation
Bipolar static induction transistors (BSIT)
Gate-biasing effects
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