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物理研究所 [21]
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Vertical interface induced dielectric relaxation in nanocomposite (batio3)(1-x):(sm2o3)(x) thin films
期刊论文
Scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 8
作者:
Li, Weiwei
;
Zhang, Wei
;
Wang, Le
;
Gu, Junxing
;
Chen, Aiping
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2019/05/09
Evaluation of stacking faults and associated partial dislocations in AlSb/GaAs (001) interface by aberration-corrected high-resolution transmission electron microscopy
期刊论文
AIP ADVANCES, 2014, 卷号: 4, 期号: 11
Wen, C
;
Ge, BH
;
Cui, YX
;
Li, FH
;
Zhu, J
;
Yu, R
;
Cheng, ZY
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2015/04/14
Strain relaxation and Sn segregation in GeSn epilayers under thermal treatment
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 25
Li, H
;
Cui, YX
;
Wu, KY
;
Tseng, WK
;
Cheng, HH
;
Chen, H
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2014/01/17
Dislocation Behavior in AlGaN/GaN Multiple Quantum-Well Films Grown with Different Interlayers
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 29, 期号: 9
Sun, HH
;
Guo, FY
;
Li, DY
;
Wang, L
;
Zhao, DG
;
Zhao, LC
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/09/17
INCLINED THREADING DISLOCATIONS
INTERSUBBAND TRANSITIONS
RELAXATION
LAYERS
Nature of interfacial defects and their roles in strain relaxation at highly lattice mismatched 3C-SiC/Si (001) interface
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 106, 期号: 7
Wen, C
;
Wang, YM
;
Wan, W
;
Li, FH
;
Liang, JW
;
Zou, J
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2013/09/24
RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY
PHASE-OBJECT APPROXIMATION
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
IMAGE DECONVOLUTION
HETEROEPITAXIAL GROWTH
THEORETICAL CONSIDERATION
ATOMIC CONFIGURATION
PARTIAL DISLOCATIONS
MISFIT DISLOCATIONS
LOMER DISLOCATION
Epitaxial growth of CaO films on MgO(001) surface: Strain relaxation at the CaO/MgO heterointerface
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2007, 卷号: 102, 期号: 4
Li, HD
;
Zhang, XN
;
Zhang, Z
;
Mei, ZX
;
Du, XL
;
Xue, QK
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/09/17
Effect of misfit dislocation originated from strained layer on photoluminescence properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 971
Lu, W
;
Li, DB
;
Li, CR
;
Chen, G
;
Zhang, Z
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/09/17
OPTICAL-PROPERTIES
RAMAN-SCATTERING
SHIFT
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
DEPENDENCE
EMISSION
FILMS
DOTS
BLUE
Generation and behavior of pure-edge threading misfit dislocations in InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 5267
Lu, W
;
Li, DB
;
Li, CR
;
Zhang, Z
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/17
VAPOR-PHASE EPITAXY
V-DEFECTS
GAN
THICKNESS
DENSITY
Crosshatching on a SiGe film grown on a Si(001) substrate studied by Raman mapping and atomic force microscopy
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2002, 卷号: 65, 期号: 23
Chen, H
;
Li, YK
;
Peng, CS
;
Liu, HF
;
Liu, YL
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
;
Xue, QK
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浏览/下载:87/0
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提交时间:2013/09/17
ANOMALOUS STRAIN RELAXATION
DISLOCATION-DENSITY
SURFACE-MORPHOLOGY
CROSS-HATCH
BUFFER LAYER
THIN-FILMS
SUPERLATTICES
ELECTRON
PATTERN
ALLOYS
Thickness and oxygen pressure dependent structural characteristics of BaTiO3 thin films grown by laser molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2000, 卷号: 87, 期号: 10, 页码: 7442
Zhao, T
;
Chen, F
;
Lu, HB
;
Yang, GZ
;
Chen, ZH
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/23
MISFIT RELAXATION MECHANISMS
DOMAIN CONFIGURATIONS
DIELECTRIC-PROPERTIES
REACTIVE EVAPORATION
CRYSTAL-STRUCTURE
DEPOSITION
SRTIO3
PEROVSKITES
RADICALS
DEFECTS
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